聚焦功率與光電半導體 揭示 AI 伺服器新世代技術與市場趨勢

【台灣台北–2025年9月9日】全球最大科技製造平台服務公司鴻海科技集團 (TWSE:2317) 宣布，旗下鴻海研究院與SEMICON Taiwan再度合作，於9月9日在南港展覽館2館舉辦「功率暨光電半導體論壇／NExT Forum 2025」。論壇匯聚全球半導體龍頭，包括德州儀器 (Texas Instruments)、英飛凌 (Infineon)、博通 (Broadcom) 等國際大廠，並將邀請市場研究機構Yole Development帶來針對AI伺服器及資料中心應用、功率與光電半導體的最新市場與技術趨勢洞察。

本屆論壇主題為「Power & Optoelectronics: Unlocking the Future of AI」，除了深入剖析化合物半導體如碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）在AI伺服器功率解決方案的應用、矽光子技術在AI網路互聯的創新，以及整體產業如何透過高效能功率與光電元件驅動AI數據中心與智慧應用的未來發展外，隨著生成式AI與大型語言模型的運算需求急遽增加，AI伺服器的能源轉換效率、熱管理及高頻高速通訊更成為產業關注焦點。論壇深入探討化合物半導體如何突破功率轉換瓶頸，實現更高能源效率，並透過光電技術支持高速資料傳輸，全面驅動AI產業升級。

鴻海科技集團S事業群總經理陳偉銘指出，化合物半導體正快速成長，市場規模預估將由當前的170億美元，在2030年達到300億美元，展現強勁動能。他進一步強調， 碳化矽在電動車效率與快速充電上已發揮關鍵作用，氮化鎵在5G高頻領域則具備優勢，同時這兩者也是AI伺服器與高效能運算的核心基礎。隨著材料與製程技術的突破，化合物半導體將帶來革命性改變，透過產學研合作加速落地，驅動資料中心、車用電子與新世代智慧應用全面升級。

鴻海研究院半導體研究所今年也在論壇中揭示與國立陽明交通大學(NYCU)、美國伊利諾大學香檳分校(UIUC)最新的共同研究成果。該團隊於第四代半導體 β-氧化鎵 (β-Ga₂O₃)研發中引入(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃間隔層設計，利用能帶工程形成二維電子氣(2DEG)，成功大幅提升元件導通能力與耐壓特性，相關論文已刊登於國際權威期刊《Advanced Electronic Materials》。此技術突破將為未來高功率應用及AI伺服器電源架構帶來全新解決方案。

鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中表示：「隨著AI伺服器對能源效率需求不斷攀升，功率半導體的技術突破成為核心關鍵。我們很榮幸能與 NYCU、UIUC 攜手推動第四代半導體研究，未來將持續深耕材料與製程創新，協助AI產業實現高效能、低能耗的發展藍圖。」

論壇期間，鴻海研究院也分享了最新在碳化矽、氮化鎵與氧化鎵(Ga₂O₃)等化合物半導體的研發成果，並與業界巨頭共同探討AI伺服器、電動車與新世代通訊的應用挑戰與未來機遇。

關於鴻海研究院

鴻海研究院（Hon Hai Research Institute）成立於2020年，隸屬於鴻海科技集團（Hon Hai Technology Group），旗下設有五個研究所及一間實驗室。每個研究單位皆擁有高科技研究專業人員，專注於未來三到七年的前瞻技術研究，以強化鴻海的長期技術與產品創新動能，支持集團轉型為「智慧導向」，並提升鴻海「3+3＋3」營運策略的競爭力。